Laboratorio Spettrometria di Massa di Ioni Secondari

Laboratorio Spettrometria di Massa di Ioni Secondari

Strumentazione:

  • Spettrometria di Massa di Ioni Secondari
  • Van der Pauw Hall
  • Profilometro

SPETTROMETRIA DI MASSA DI IONI SECONDARI
Responsabile: Prof. Enrico Napolitani
Personale Afferente: Enrico Napolitani, Cinzia Sada, Andrea Gasparotto, Alberto Carnera

Breve descrizione :
Spettrometro di Massa di Ioni Secondari (SIMS) a settore magnetico CAMECA IMS-4f. Questo strumento permette l'analisi della composizione chimica di tutti gli elementi nei materiali solidi, inclusi metalli, semiconduttori ed isolanti con limiti di rilevazione estremamente bassi (in alcuni casi, fino a una parte per miliardo), elevate risoluzioni in profondità (fino a 1 nm), e risoluzioni di massa fino a 1/15000.
Caratteristiche principali:

  • due sorgenti ioniche O2+ e Cs+. 
  • Fasci a bassa energia (fino a 650 eV per O2+ e 2keV per Cs+) per analisi ad alta risoluzione in profondità.
  • Controllo dell'angolo di incidenza del fascio, tramite regolazione del voltaggio di estrazione.
  • Cannone elettronico per la compensazione di carica in materiali isolanti
  • Oxygen flooding
  • Analizzatore di gas residui nella camera di misura
  • Stage di controllo della temperatura del campione (da -95 a + 90°C) per il controllo e la soppressione dei fenomeni di migrazione durante le misure SIMS [Napolitani et al., Phys. Rev. Lett. 93(5), 055901 (2004)]

VAN DER PAUW - HALL
ResponsabilI: Prof. Enrico Napolitani, Prof. Davide De Salvador
Personale Afferente: Enrico Napolitani, Davide De Salvador, Francesco Sgarbossa, Chiara Carraro, Ruggero Milazzo

Breve descrizione :
Sistema di misura VdP - Hall della ditta MMR, installato in collaborazione con INFN-LNL, in grado di misurare proprietà elettriche dei materiali quali resistenza di strato, e densità areale e mobilità dei portatori. 
Il sistema è dotato di un magnete permanente di circa 6000 Gauss , ed è provvisto di un sistema di punte per la facile contattatura del campione senza la necessità di ricorrere a wire bonding o saldature.
Il campione è alloggiato in una camera da vuoto dotata di uno stage termico Joule-Thomson controllato da computer, in grado di variare la temperatura durante le analisi tra 70 K e 730 K.

PROFILOMETRO
Responsabile: Prof. Enrico Napolitani
Il laboratorio è equipaggiato con un profilometro TENCOR P10 per la misura della topografia di superfici con risoluzione nanometrica. Tra le varie applicazioni, viene utilizzato per determinare la velocità di erosione della superficie esaminata durante le misure SIMS.